從這些關鍵器件的成功應用案例，看盡智能手機發展趨勢

2016-11-09  by:CAE仿真在線  來源:互聯網

由上圖可知自1955年到2016年,50多年來,英飛凌在全射頻段產品一直引領著市場標準,在無線通訊日益發達的今天更是如此。除了英飛凌一直處于市場領導地位的蜂窩基礎設施,那些廣泛流行的智能手機等移動終端身后,也有巨量的英飛凌器件在提供支持。所以,我們今天來梳理一下,到底英飛凌的哪些器件,為智能手機行業作出了不可忽略的貢獻,并從中管窺手持移動終端未來開發趨勢。

低噪聲放大器LNA

空氣中布滿了各種射頻信號,當終端的天線接收到這些信號時,它們可能已經奄奄一息微弱得可憐,以至于終端設備無法識別,這時便需要對信號進行放大。但是普通放大器自身的噪聲對微弱信號干擾嚴重,還好有一種可解決問題的器件,名為低噪聲放大器(LNA)。

英飛凌是基于創新鍺硅(SiGe)工藝的低噪聲放大器的領先提供商,它們可實現噪聲系數低至0.5分貝和增益高達20分貝的最佳性能,并且有助于電池續航時間的延長。采用英飛凌的LNA器件或集成了LNA的前端模塊,無論3G、4G信號,還是GPS、藍牙、WiFi等信號,移動終端均能輕松接收。

截止2016年一季度,英飛凌總共售出超過25億顆低噪聲放大器(LNA),適用于LTE、HSPA和UMTS等各種蜂窩制式和全球導航衛星系統(GNSS)終端,以及移動電視應用。

隨著4G/LTE手機可支持的工作頻段和運行模式越來越多,其射頻前端部件設計日益復雜、苛刻,減少系統復雜度成為一大挑戰,而解決方案就是對頻譜和天線進行復用。射頻開關與天線調諧開關便是解決復用問題的器件。

英飛凌為智能手機提供多種類型的天線開關和通用射頻開關,這些射頻開關能夠實現極低的插入損耗、出色的隔離性能和很低的諧波振蕩。與其他采用砷化鎵(GaAs)技術的廠商相比,英飛凌的Bulk RF CMOS(130 nm)技術允許將驅動器和MIPI/GPIO控制電路與開關一同集成到一顆晶粒上,簡化了設計流程并減少了部件數量。

2016年6月英飛凌宣布,其用于智能電話和平板電腦的射頻開關出貨量已經突破10億大關。

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