NXP發布業界功率密度最高的航空電子射頻LDMOS

2017-06-25 by:CAE仿真在線來源:互聯網

恩智浦的前沿LDMOS技術助力打造小尺寸的700W射頻功率器件

全球領先的射頻功率器件供應商恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)今日宣布推出業界最為緊湊的射頻橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)解決方案,面向廣播式自動相關監視(ADS-B)和無人駕駛飛行器(UAV)應答器市場。AFV10700H集成設計在一個尺寸僅為半張信用卡大小的50歐姆功率放大器,但提供的脈沖功率高達700瓦特(W),能夠滿足航空領域對于尺寸、重量、功率和成本(SWaP-C)的多方面要求。

AFV10700H基于恩智浦的前沿Airfast技術,并且采用小型NI-780氣腔封裝,與目前采用標準NI-1230封裝的其他同功率級LDMOS解決方案相比,占用空間減少了40%。AFV10700H配有高度集成的片上預匹配電路,能夠提供高輸出阻抗,幫助減小匹配電路尺寸,從而實現1.3″ x 2.6″(3.3 x6.6 cm)的小尺寸功率放大器。此外,業界領先的熱阻特性允許采用更小的散熱器設計,進一步減輕了應答器的重量。

恩智浦多市場射頻功率工業技術高級總監兼總經理Pierre Piel表示:“恩智浦一直在努力開發強大的產品,以滿足L頻段脈沖應用對于尺寸和性能的嚴苛要求,這套全新的解決方案便是一個典范。我們的主要設計理念是兼具高性能與易用性。”

這款器件針對諸如商用廣播式自動相關監視(ADS—B)、UAV和軍事敵我識別(IFF)等脈沖應用而設計,在1090兆赫茲(MHz)和50伏特(V)的工作條件下可提供700W P1dB的功率輸出,效率為56%;在1030 MHz和52V的工作條件下可提供850W P1dB的功率輸出,效率為52%。低熱阻特性支持高占空比的脈沖序列,例如S模式(Mode-S)擴展長度信息(ELM)和Link 16。